Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > V10P8HM3_A/H
V10P8HM3_A/H

V10P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

v10p6.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+28.39 грн
3000+25.17 грн
4500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис V10P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції V10P8HM3_A/H за ціною від 29.71 грн до 100.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
V10P8HM3_A/H V10P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.89 грн
10+61.23 грн
100+40.54 грн
500+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P8HM3_A/H V10P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor v10p6.pdf Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
на замовлення 12455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V10P8HM3_A/H V10P8HM3_A/H Vishay Semiconductors v10p6.pdf Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V10P8HM3_A/H v10p6.pdf
V10P8HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.89 грн
10+61.23 грн
100+40.54 грн
500+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P8HM3_A/H v10p6.pdf
V10P8HM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
на замовлення 12455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V10P8HM3_A/H v10p6.pdf
V10P8HM3_A/H
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.