V20120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 120V 10A TO2203
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.07 грн |
| 50+ | 72.61 грн |
| 100+ | 65.13 грн |
| 500+ | 48.82 грн |
| 1000+ | 44.86 грн |
| 2000+ | 41.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V20120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 120V 10A TO2203, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-220-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції V20120C-E3/4W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| V20120C-E3/4W |
|
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |