
V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
на замовлення 7331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.33 грн |
10+ | 56.19 грн |
100+ | 42.99 грн |
500+ | 32.72 грн |
1000+ | 30.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO2203, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V.
Інші пропозиції V20120S-E3/4W за ціною від 79.76 грн до 93.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
V20120S-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
V20120S-E3/4W |
![]() |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
V20120S-E3/4W | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
V20120S-E3/4W | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |