
V2PM10LHM3/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 35.88 грн |
14+ | 24.98 грн |
100+ | 11.01 грн |
1000+ | 7.56 грн |
2500+ | 6.75 грн |
10000+ | 5.80 грн |
20000+ | 5.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V2PM10LHM3/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO220AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-220AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 195pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Supplier Device Package: DO-220AA (SMP), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 5 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції V2PM10LHM3/I
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
V2PM10LHM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-220AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 195pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.9A Supplier Device Package: DO-220AA (SMP) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
V2PM10LHM3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |