
V35PWM10HM3/I VISHAY

Description: VISHAY - V35PWM10HM3/I - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 35 A, Einfach, TO-252AE (Slim DPAK), 3 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 260A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 900mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 65.37 грн |
500+ | 51.37 грн |
1000+ | 44.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V35PWM10HM3/I VISHAY
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2500pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: SlimDPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції V35PWM10HM3/I за ціною від 38.85 грн до 116.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
V35PWM10HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 2500pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: SlimDPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
V35PWM10HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
V35PWM10HM3/I | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 260A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 900mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
V35PWM10HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 2500pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: SlimDPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |