Технічний опис V3FM10-M3/I Vishay
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 100 V.
Інші пропозиції V3FM10-M3/I
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
V3FM10-M3/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
V3FM10-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
V3FM10-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |