Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > V8P12-M3/86A
V8P12-M3/86A

V8P12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

v8p12.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+19.48 грн
3000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис V8P12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V.

Інші пропозиції V8P12-M3/86A за ціною від 24.72 грн до 66.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
V8P12-M3/86A V8P12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p12.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.20 грн
10+42.92 грн
100+33.85 грн
500+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V8P12-M3/86A V8P12-M3/86A Vishay Semiconductors v8p12.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 8A 120V Schottky TrenchMOS
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V8P12-M3/86A v8p12.pdf
V8P12-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.20 грн
10+42.92 грн
100+33.85 грн
500+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V8P12-M3/86A v8p12.pdf
V8P12-M3/86A
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 120V Schottky TrenchMOS
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.