V8P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 2.9A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.9A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.81 грн |
| 10+ | 54.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V8P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.9A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.9A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції V8P22HM3/H за ціною від 19.90 грн до 89.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
V8P22HM3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers RECT 200V 8A SM TMBS |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| V8P22HM3/H | Виробник : Vishay |
High Current Density Surface Mount (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
V8P22HM3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.9A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.9A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |