V8P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 21.52 грн |
| 3000+ | 18.46 грн |
| 7500+ | 17.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V8P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції V8P8HM3_A/H за ціною від 15.08 грн до 63.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
V8P8HM3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
V8P8HM3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 11177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
V8P8HM3_A/H | Виробник : Vishay |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |