V8P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 20.28 грн |
| 3000+ | 17.39 грн |
| 7500+ | 16.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V8P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції V8P8HM3_A/H за ціною від 21.53 грн до 107.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
V8P8HM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
V8P8HM3_A/H | Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| V8P8HM3_A/H |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.37 грн |
| 10+ | 39.64 грн |
| 100+ | 27.46 грн |
| 500+ | 21.53 грн |
| V8P8HM3_A/H |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.92 грн |
| 10+ | 67.16 грн |
| 100+ | 38.80 грн |
| 500+ | 30.38 грн |
| 1000+ | 26.30 грн |
| 1500+ | 24.16 грн |
| 3000+ | 22.99 грн |