на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14000+ | 12.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V8PA10HM3/I Vishay
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 850pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 760 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції V8PA10HM3/I за ціною від 12.10 грн до 48.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
V8PA10HM3/I | Виробник : Vishay |
 Diode Schottky 100V 8A 2-Pin SMPA T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
V8PA10HM3/I | Виробник : Vishay |
Diode Schottky 100V 8A 2-Pin SMPA T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
V8PA10HM3/I | Виробник : Vishay |
Diode Schottky 100V 8A 2-Pin SMPA T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
V8PA10HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers If 8A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 24550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| V8PA10HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 850pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 760 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
V8PA10HM3/I | Виробник : Vishay |
Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| V8PA10HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 850pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 760 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |