V8PAM10-M3/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 16307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 38.21 грн |
10+ | 32.16 грн |
100+ | 19.53 грн |
500+ | 15.21 грн |
1000+ | 11.03 грн |
2500+ | 10.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис V8PAM10-M3/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V.
Інші пропозиції V8PAM10-M3/I за ціною від 10.84 грн до 38.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
V8PAM10-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
V8PAM10-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|