V8PM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


v8pm10s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 6500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис V8PM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V.

Інші пропозиції V8PM10S-M3/I за ціною від 16.63 грн до 71.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
V8PM10S-M3/I V8PM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pm10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
на замовлення 10332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.58 грн
10+42.84 грн
100+27.96 грн
500+20.21 грн
1000+18.26 грн
2000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V8PM10S-M3/I V8PM10S-M3/I Vishay Semiconductors v8pm10s.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 100V 8A TMBS SMPC (TO-277A)
на замовлення 11417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V8PM10S-M3/I v8pm10s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
на замовлення 10332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.58 грн
10+42.84 грн
100+27.96 грн
500+20.21 грн
1000+18.26 грн
2000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V8PM10S-M3/I v8pm10s.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 8A TMBS SMPC (TO-277A)
на замовлення 11417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.