Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > V9N3M103-M3/I
V9N3M103-M3/I

V9N3M103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

v9n3m103.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис V9N3M103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.8A, Supplier Device Package: DFN33A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V.

Інші пропозиції V9N3M103-M3/I за ціною від 14.28 грн до 73.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
V9N3M103-M3/I V9N3M103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.74 грн
10+35.21 грн
25+33.08 грн
100+25.33 грн
250+23.53 грн
500+20.03 грн
1000+15.76 грн
2500+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I V9N3M103-M3/I Vishay v9n3m103.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+73.54 грн
10+45.09 грн
100+25.51 грн
500+19.64 грн
1000+17.81 грн
2500+16.20 грн
6000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.74 грн
10+35.21 грн
25+33.08 грн
100+25.33 грн
250+23.53 грн
500+20.03 грн
1000+15.76 грн
2500+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103-M3/I v9n3m103.pdf
V9N3M103-M3/I
Виробник: Vishay
Schottky Diodes & Rectifiers 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.54 грн
10+45.09 грн
100+25.51 грн
500+19.64 грн
1000+17.81 грн
2500+16.20 грн
6000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.