V9N3M103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


v9n3m103.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис V9N3M103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.8A, Supplier Device Package: DFN33A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції V9N3M103HM3/I за ціною від 16.00 грн до 83.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
V9N3M103HM3/I V9N3M103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m103.pdf Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.38 грн
10+39.45 грн
25+37.04 грн
100+28.38 грн
250+26.36 грн
500+22.43 грн
1000+17.65 грн
2500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I V9N3M103HM3/I Vishay v9n3m103.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+83.12 грн
10+50.83 грн
100+28.95 грн
500+22.43 грн
1000+20.30 грн
2500+18.54 грн
6000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I v9n3m103.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.38 грн
10+39.45 грн
25+37.04 грн
100+28.38 грн
250+26.36 грн
500+22.43 грн
1000+17.65 грн
2500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M103HM3/I v9n3m103.pdf
Виробник: Vishay
Schottky Diodes & Rectifiers 9A, 100V DFN33A TMBS RECT
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.12 грн
10+50.83 грн
100+28.95 грн
500+22.43 грн
1000+20.30 грн
2500+18.54 грн
6000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.