Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > V9N3M63-M3/I
V9N3M63-M3/I

V9N3M63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

v9n3m63.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис V9N3M63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DFN33A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V.

Інші пропозиції V9N3M63-M3/I за ціною від 13.48 грн до 68.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
V9N3M63-M3/I V9N3M63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3m63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
10+34.87 грн
25+32.74 грн
100+25.09 грн
250+23.31 грн
500+19.84 грн
1000+15.61 грн
2500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I V9N3M63-M3/I Vishay v9n3m63.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.68 грн
10+41.84 грн
100+23.74 грн
500+18.22 грн
1000+16.55 грн
2500+15.01 грн
6000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.85 грн
10+34.87 грн
25+32.74 грн
100+25.09 грн
250+23.31 грн
500+19.84 грн
1000+15.61 грн
2500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V9N3M63-M3/I v9n3m63.pdf
V9N3M63-M3/I
Виробник: Vishay
Schottky Diodes & Rectifiers 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.68 грн
10+41.84 грн
100+23.74 грн
500+18.22 грн
1000+16.55 грн
2500+15.01 грн
6000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.