
VB10150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 5A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.76 грн |
10+ | 82.95 грн |
100+ | 55.70 грн |
500+ | 41.31 грн |
1000+ | 37.78 грн |
2000+ | 34.81 грн |
5000+ | 31.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VB10150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 5A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V.
Інші пропозиції VB10150C-E3/4W
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VB10150C-E3/4W | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
VB10150C-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |