Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VB10150S-E3/8W
VB10150S-E3/8W

VB10150S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

v10150s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+36.54 грн
1600+34.59 грн
2400+33.58 грн
4000+31.01 грн
5600+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VB10150S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V.

Інші пропозиції VB10150S-E3/8W за ціною від 54.29 грн до 105.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VB10150S-E3/8W VB10150S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10150s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
на замовлення 10579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.45 грн
10+69.60 грн
100+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VB10150S-E3/8W VB10150S-E3/8W Vishay General Semiconductor v10150s.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 150 Volt Single TrenchMOS
на замовлення 7880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VB10150S-E3/8W v10150s.pdf
VB10150S-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
на замовлення 10579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.45 грн
10+69.60 грн
100+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VB10150S-E3/8W v10150s.pdf
VB10150S-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 150 Volt Single TrenchMOS
на замовлення 7880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.