
VB10150S-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VB10150S-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V.
Інші пропозиції VB10150S-M3/8W
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
VB10150S-M3/8W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |