VB20120S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VB20120S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Current - Average Rectified (Io): 20A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VB20120S-E3/8W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VB20120S-E3/8W | Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| VB20120S-E3/8W |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.