Технічний опис VB20200C-E3/4W Vishay
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VB20200C-E3/4W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VB20200C-E3/4W | Виробник : Vishay |
 Diode Schottky 200V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
VB20200C-E3/4W | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Schottky 200V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
VB20200C-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|
 |
VB20200C-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 200 Volt Dual TrenchMOS |
товару немає в наявності |