VB30100S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 41600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 49.48 грн |
| 1600+ | 45.97 грн |
| 4000+ | 44.82 грн |
| 5600+ | 41.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VB30100S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VB30100S-E3/8W - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 910 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 910mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench MOS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції VB30100S-E3/8W за ціною від 44.40 грн до 126.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VB30100S-E3/8W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS |
на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VB30100S-E3/8W | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VB30100S-E3/8W - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 910 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 910mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench MOS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VB30100S-E3/8W | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V |
на замовлення 41982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|