Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VB60170G-E3/8W
VB60170G-E3/8W

VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vb60170g.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+84.67 грн
1600+75.92 грн
2400+73.06 грн
4000+65.55 грн
5600+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V.

Інші пропозиції VB60170G-E3/8W за ціною від 105.62 грн до 241.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb60170g.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 11893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.70 грн
10+151.73 грн
100+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VB60170G-E3/8W VB60170G-E3/8W Vishay General Semiconductor vb60170g.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 60A 170V Dual TrenchMOS
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VB60170G-E3/8W vb60170g.pdf
VB60170G-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 170V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 170 V
на замовлення 11893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.70 грн
10+151.73 грн
100+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VB60170G-E3/8W vb60170g.pdf
VB60170G-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60A 170V Dual TrenchMOS
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.