
VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 62.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VBT10200C-E3/4W за ціною від 37.85 грн до 77.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VBT10200C-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VBT10200C-E3/4W | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
VBT10200C-E3/4W | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |