VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.96 грн |
| 10+ | 55.97 грн |
| 100+ | 43.52 грн |
| 500+ | 34.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VBT10200C-E3/4W за ціною від 48.17 грн до 74.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VBT10200C-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 10A 200V TrenchMOS |
на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VBT10200C-E3/4W | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Schottky 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товар відсутній |