VBT1080S-E3/8W Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.12 грн |
| 10+ | 92.14 грн |
| 100+ | 54.07 грн |
| 500+ | 39.36 грн |
| 800+ | 36.79 грн |
| 2400+ | 35.32 грн |
| 4800+ | 34.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VBT1080S-E3/8W Vishay Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 80 V.
Інші пропозиції VBT1080S-E3/8W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VBT1080S-E3/8W | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO263ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 80 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
VBT1080S-E3/8W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 10A,80V,Trench |
товару немає в наявності |