VBT2080S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
на замовлення 7623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.54 грн |
| 50+ | 37.92 грн |
| 100+ | 35.64 грн |
| 500+ | 30.08 грн |
| 1000+ | 28.32 грн |
| 2000+ | 26.97 грн |
| 5000+ | 25.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VBT2080S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V.
Інші пропозиції VBT2080S-E3/4W за ціною від 29.14 грн до 102.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VBT2080S-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20A,80V,Trench |
на замовлення 7532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|