
VBT2080S-E3/8W Vishay General Semiconductor
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.23 грн |
10+ | 67.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VBT2080S-E3/8W Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V.
Інші пропозиції VBT2080S-E3/8W
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VBT2080S-E3/8W | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
VBT2080S-E3/8W | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V |
товару немає в наявності |