Продукція > ON SEMICONDUCTOR > VEC2616-TL-W
VEC2616-TL-W

VEC2616-TL-W ON Semiconductor

VEC2616-D-931482.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VEC2616-TL-W ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-28FL/VEC8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції VEC2616-TL-W

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VEC2616-TL-W VEC2616-TL-W ONSEMI 2053003.pdf Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VEC2616-TL-W VEC2616-TL-W ONSEMI 2053003.pdf Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VEC2616-TL-W ON Semiconductor
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VEC2616-TL-W 2053003.pdf
VEC2616-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VEC2616-TL-W 2053003.pdf
VEC2616-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VEC2616-TL-W
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.