VF20120SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VF20120SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: ITO-220AB, Current - Average Rectified (Io): 20A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.
Інші пропозиції VF20120SG-E3/4W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VF20120SG-E3/4W | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS |
товару немає в наявності |
|
 |
VF20120SG-E3/4W | Виробник : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS |
товару немає в наявності |