VKM60-01P1
Виробник:
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VKM60-01P1
Description: MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2, Packaging: Box, Package / Case: ECO-PAC2, Mounting Type: Through Hole, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Supplier Device Package: ECO-PAC2, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції VKM60-01P1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| VKM60-01P1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 13-Pin ECO-PAC 2 |
товар відсутній |
||
| VKM60-01P1 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 13-Pin ECO-PAC 2 |
товар відсутній |
||
| VKM60-01P1 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 Packaging: Box Package / Case: ECO-PAC2 Mounting Type: Through Hole Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: ECO-PAC2 Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
||
 |
VKM60-01P1 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules MOSFET H-BRIDGE 100V 63 AMP |
товар відсутній |