
VN0104N3-G-P013 Microchip Technology
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.07 грн |
25+ | 59.05 грн |
250+ | 46.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN0104N3-G-P013 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN0104N3-G-P013
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VN0104N3-G-P013 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
VN0104N3-G-P013 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |