Технічний опис VN0104N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції VN0104N3-G за ціною від 35.66 грн до 87.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VN0104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VN0104N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VN0104N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 40V 3Ohm |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
VN0104N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VN0104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VN0104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
VN0104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. |
| VN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 47.28 грн |
| 25+ | 42.74 грн |
| 100+ | 40.29 грн |
| VN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.01 грн |
| 25+ | 41.75 грн |
| 100+ | 38.49 грн |
| VN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 40V 3Ohm
MOSFETs 40V 3Ohm
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.05 грн |
| 25+ | 44.48 грн |
| 100+ | 35.66 грн |
| VN0104N3-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - VN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 55.46 грн |
| 25+ | 45.54 грн |
| 100+ | 42.01 грн |
| VN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 207+ | 68.29 грн |
| VN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 162+ | 87.33 грн |
| VN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






