VN0104N3-G Microchip Technology
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 37.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN0104N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції VN0104N3-G за ціною від 35.51 грн до 81.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VN0104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN0104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN0104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 40V 3Ohm |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN0104N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VN0104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VN0104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN0104N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VN0104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
VN0104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |