Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN0109N3-G
VN0109N3-G
  • VN0109N3-G
  • VN0109N3-G

VN0109N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

VN0109-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005976A.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 90V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.16 грн
9+45.53 грн
24+39.38 грн
25+38.44 грн
65+37.02 грн
100+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN0109N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.

Інші пропозиції VN0109N3-G за ціною від 42.98 грн до 68.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VN0109N3-G VN0109N3-G Виробник : Microchip Technology vn0109c081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+49.25 грн
268+45.33 грн
282+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109N3-G Виробник : Microchip Technology vn0109c081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.77 грн
25+48.57 грн
100+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109N3-G Виробник : Microchip Technology vn0109c081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
220+55.09 грн
222+54.60 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109N3-G Виробник : Microchip Technology VN0109-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005976A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.98 грн
25+51.42 грн
100+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109N3-G Виробник : Microchip Technology VN0109C081913-3443891.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.28 грн
25+56.87 грн
100+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109N3-G Виробник : Microchip Technology vn0109c081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.