Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN0300L-G-P002
VN0300L-G-P002

VN0300L-G-P002 Microchip Technology

VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.65 грн
25+90.36 грн
100+81.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN0300L-G-P002 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V.

Інші пропозиції VN0300L-G-P002 за ціною від 68.59 грн до 122.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VN0300L-G-P002 VN0300L-G-P002 Виробник : Microchip Technology VN0300B081913-3444330.pdf MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.37 грн
25+99.80 грн
100+78.48 грн
1000+69.27 грн
4000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G-P002 VN0300L-G-P002 Виробник : Microchip Technology VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.