VN0300L-G MICROCHIP
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 82.34 грн |
| 25+ | 67.34 грн |
| 100+ | 64.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN0300L-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції VN0300L-G за ціною від 70.58 грн до 108.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN0300L-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V |
на замовлення 1704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN0300L-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 30V 1.2Ohm |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|