VN0300L-G

VN0300L-G Microchip Technology


VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
на замовлення 1704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.37 грн
25+80.14 грн
100+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN0300L-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції VN0300L-G за ціною від 73.95 грн до 113.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VN0300L-G VN0300L-G Виробник : MICROCHIP VN0300%20B081913.pdf Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.06 грн
25+89.52 грн
100+83.77 грн
1000+76.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300L-G Виробник : Microchip Technology VN0300B081913-3444330.pdf MOSFETs 30V 1.2Ohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.60 грн
25+91.77 грн
100+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.