VN0300L-G Microchip Technology


VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.97 грн
25+78.24 грн
100+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN0300L-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції VN0300L-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN0300L-G VN0300L-G MICROCHIP VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300L-G Microchip Technology VN0300B081913-3444330.pdf MOSFETs 30V 1.2Ohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300B081913-3444330.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 30V 1.2Ohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.