VN0300L-G MICROCHIP


VN0300%20B081913.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+82.87 грн
25+67.77 грн
100+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN0300L-G MICROCHIP

Description: MICROCHIP - VN0300L-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції VN0300L-G за ціною від 71.03 грн до 109.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VN0300L-G VN0300L-G Microchip Technology VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
25+80.06 грн
100+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300L-G Microchip Technology VN0300B081913-3444330.pdf MOSFETs 30V 1.2Ohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.12 грн
25+88.15 грн
100+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+101.27 грн
25+80.06 грн
100+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300B081913-3444330.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 30V 1.2Ohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+109.12 грн
25+88.15 грн
100+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.