VN0808L-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.96 грн |
| 25+ | 80.26 грн |
| 100+ | 72.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN0808L-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN0808L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції VN0808L-G за ціною від 106.49 грн до 150.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VN0808L-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
VN0808L-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
VN0808L-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
VN0808L-G | Microchip Technology |
MOSFETs 80V 4Ohm |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
VN0808L-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN0808L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 mA, 4 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VN0808L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 112.04 грн |
| 133+ | 106.49 грн |
| VN0808L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 96+ | 148.12 грн |
| 250+ | 129.05 грн |
| VN0808L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 292+ | 150.85 грн |
| VN0808L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 80V 4Ohm
MOSFETs 80V 4Ohm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| VN0808L-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN0808L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - VN0808L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





