VN0808L-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300mA; Idm: 1.9A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.9A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.52 грн |
| 25+ | 73.35 грн |
| 100+ | 69.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN0808L-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - VN0808L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції VN0808L-G за ціною від 68.08 грн до 138.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 80V 4Ohm |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VN0808L-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN0808L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VN0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VN0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
VN0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
VN0808L-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |