VN10K
Виробник:
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN10K
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - VN10K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, TO-18, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 170, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4, Verlustleistung: 1.5, Bauform - Transistor: TO-18, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції VN10K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VN10K | Semelab / TT Electronics |
 MOSFET SS MOSFET N-CH TO18 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
VN10K | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - VN10K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, TO-18, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4 Verlustleistung: 1.5 Bauform - Transistor: TO-18 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
VN10K | Semelab (TT electronics) |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. |
| VN10K |
|
Виробник: Semelab / TT Electronics
MOSFET SS MOSFET N-CH TO18
MOSFET SS MOSFET N-CH TO18
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VN10K |
|
Виробник: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - VN10K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - VN10K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VN10K |
|
Виробник: Semelab (TT electronics)
Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin TO-18
Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику
од. на суму грн.