VN10KN3-G-P002 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.27 грн |
| 25+ | 37.16 грн |
| 100+ | 34.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN10KN3-G-P002 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN10KN3-G-P002
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VN10KN3-G-P002 | Microchip Technology |
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
на замовлення 3128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VN10KN3-G-P002 |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)