VN10KN3-G-P002 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.32 грн |
| 25+ | 44.21 грн |
| 100+ | 40.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN10KN3-G-P002 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN10KN3-G-P002 за ціною від 35.32 грн до 60.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN10KN3-G-P002 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VN10KN3-G-P002 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
VN10KN3-G-P002 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
VN10KN3-G-P002 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
VN10KN3-G-P002 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
VN10KN3-G-P002 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| VN10KN3-G-P002 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |