Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN10KN3-G-P002
VN10KN3-G-P002

VN10KN3-G-P002 Microchip Technology

VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.69 грн
25+39.44 грн
100+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN10KN3-G-P002 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції VN10KN3-G-P002 за ціною від 31.93 грн до 54.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VN10KN3-G-P002 VN10KN3-G-P002 Виробник : Microchip Technology supertex_vn10k-1181295.pdf MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.39 грн
25+43.91 грн
100+34.94 грн
1000+32.01 грн
4000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P002 VN10KN3-G-P002 Виробник : Microchip Technology vn10k20b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P002 VN10KN3-G-P002 Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P002 VN10KN3-G-P002 Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P002 VN10KN3-G-P002 Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P002 VN10KN3-G-P002 Виробник : Microchip Technology VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.