VN10KN3-G-P002 Microchip Technology


supertex_vn10k.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.73 грн
10+37.63 грн
25+29.69 грн
100+28.52 грн
250+28.45 грн
1000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN10KN3-G-P002 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції VN10KN3-G-P002 за ціною від 34.01 грн до 47.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
VN10KN3-G-P002 VN10KN3-G-P002 Microchip Technology VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
25+37.16 грн
100+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G-P002 VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.27 грн
25+37.16 грн
100+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.