VN10KN3-G Microchip Technology
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 28.71 грн |
| 25+ | 26.79 грн |
| 100+ | 25.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN10KN3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN10KN3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VN10KN3-G за ціною від 27.83 грн до 50.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VN10KN3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN10KN3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
,TO-226_straightlead.jpg "VN10KN3-G") |
VN10KN3-G Код товару: 117018
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
|
|
VN10KN3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
VN10KN3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |