Продукція > DIODES INCORPORATED > VN10LP
VN10LP

VN10LP DIODES INCORPORATED

VN10LP.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.27A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
On-state resistance: 7.5Ω
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.74 грн
100+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN10LP DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції VN10LP за ціною від 36.39 грн до 97.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN10LP VN10LP Diodes Incorporated VN10LP.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+58.80 грн
25+49.48 грн
50+40.98 грн
100+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10LP VN10LP Diodes Incorporated VN10LP.pdf MOSFETs N Chnl. 60V
на замовлення 7511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN10LP VN10LP DIODES INC. DIOD-S-A0000216304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN10LP VN10LP.pdf
VN10LP
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.19 грн
10+58.80 грн
25+49.48 грн
50+40.98 грн
100+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10LP VN10LP.pdf
VN10LP
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N Chnl. 60V
на замовлення 7511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN10LP DIOD-S-A0000216304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VN10LP
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.