VN10LP Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 23.25 грн |
| 15+ | 21.27 грн |
| 100+ | 19.62 грн |
| 500+ | 17.38 грн |
| 1000+ | 16.86 грн |
| 4000+ | 16.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN10LP Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції VN10LP за ціною від 24.29 грн до 78.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VN10LP | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VN10LP | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
на замовлення 3876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VN10LP | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
на замовлення 3976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VN10LP | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: TO92 Drain current: 0.27A Power dissipation: 0.625W On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VN10LP | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VN10LP | Diodes Incorporated |
MOSFETs N Chnl. 60V |
на замовлення 7511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VN10LP |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 34.22 грн |
| VN10LP |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 294+ | 48.17 грн |
| 500+ | 36.53 грн |
| 1000+ | 34.24 грн |
| 2000+ | 27.48 грн |
| VN10LP |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 48.30 грн |
| 500+ | 36.62 грн |
| 1000+ | 34.32 грн |
| 2000+ | 27.54 грн |
| VN10LP |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: TO92
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 7.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: TO92
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 7.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 78.58 грн |
| 10+ | 46.18 грн |
| 15+ | 42.45 грн |
| 50+ | 33.66 грн |
| 100+ | 29.77 грн |
| 200+ | 26.53 грн |
| 500+ | 24.29 грн |
| VN10LP |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VN10LP |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N Chnl. 60V
MOSFETs N Chnl. 60V
на замовлення 7511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






