| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.92 грн |
| 25+ | 111.02 грн |
| 100+ | 91.32 грн |
| 1000+ | 90.67 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN1206L-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції VN1206L-G за ціною від 108.18 грн до 623.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VN1206L-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VN1206L-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VN1206L-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VN1206L-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
VN1206L-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VN1206L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 147.17 грн |
| 25+ | 133.75 грн |
| 100+ | 126.24 грн |
| VN1206L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 147.17 грн |
| 107+ | 133.75 грн |
| 114+ | 126.24 грн |
| VN1206L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.19 грн |
| 25+ | 119.46 грн |
| 100+ | 108.18 грн |
| VN1206L-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 623.46 грн |
| 28+ | 527.77 грн |
| 50+ | 293.00 грн |
| 100+ | 158.77 грн |
| VN1206L-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






