VN1206L-G

VN1206L-G MICROCHIP TECHNOLOGY


VN1206%20B081913.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 230mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Case: TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 120V
на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.81 грн
13+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN1206L-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції VN1206L-G за ціною від 37.72 грн до 538.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY VN1206%20B081913.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 230mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Case: TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 120V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.15 грн
10+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : Microchip Technology vn1206b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+127.05 грн
107+115.47 грн
114+108.98 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : Microchip Technology vn1206b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.12 грн
25+123.71 грн
100+116.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : Microchip Technology VN1206_B081913-3445672.pdf MOSFETs 120V 6Ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.08 грн
10+144.22 грн
25+112.49 грн
100+106.41 грн
250+102.61 грн
1000+101.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : Microchip Technology VN1206%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.68 грн
25+127.05 грн
100+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0013078720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.79 грн
10+159.44 грн
25+145.80 грн
50+129.05 грн
100+113.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : Microchip Technology vn1206b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+538.22 грн
28+455.62 грн
50+252.94 грн
100+137.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : Microchip Technology vn1206b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Виробник : Microchip Technology vn1206b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.