Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN1206L-G
VN1206L-G

VN1206L-G MICROCHIP TECHNOLOGY

VN1206%20B081913.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 230mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Power dissipation: 1W
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+43.22 грн
11+41.21 грн
25+39.54 грн
26+36.70 грн
72+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN1206L-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції VN1206L-G за ціною від 102.97 грн до 637.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN1206L-G VN1206L-G Microchip Technology VN1206_B081913.pdf MOSFETs 120V 6Ohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+130.50 грн
25+126.08 грн
100+103.71 грн
1000+102.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Microchip Technology vn1206b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.41 грн
25+136.71 грн
100+129.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Microchip Technology vn1206b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+150.41 грн
107+136.71 грн
114+129.02 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Microchip Technology VN1206%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.79 грн
25+120.74 грн
100+109.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Microchip Technology vn1206b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+637.23 грн
28+539.42 грн
50+299.47 грн
100+162.28 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G MICROCHIP MCHP-S-A0013078720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206_B081913.pdf
VN1206L-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 120V 6Ohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.50 грн
25+126.08 грн
100+103.71 грн
1000+102.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G vn1206b081913.pdf
VN1206L-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.41 грн
25+136.71 грн
100+129.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G vn1206b081913.pdf
VN1206L-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+150.41 грн
107+136.71 грн
114+129.02 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206%20B081913.pdf
VN1206L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.79 грн
25+120.74 грн
100+109.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G vn1206b081913.pdf
VN1206L-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+637.23 грн
28+539.42 грн
50+299.47 грн
100+162.28 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G MCHP-S-A0013078720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VN1206L-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.