| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.02 грн |
| 10+ | 133.44 грн |
| 25+ | 104.08 грн |
| 100+ | 98.46 грн |
| 250+ | 94.94 грн |
| 1000+ | 94.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN1206L-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції VN1206L-G за ціною від 110.72 грн до 176.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN1206L-G | Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VN1206L-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| VN1206L-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.69 грн |
| 25+ | 122.26 грн |
| 100+ | 110.72 грн |
| VN1206L-G |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 176.40 грн |
| 10+ | 162.45 грн |
| 25+ | 146.86 грн |
| 50+ | 131.04 грн |
| 100+ | 114.63 грн |