Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN2106N3-G
VN2106N3-G

VN2106N3-G Microchip Technology

vn2106.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
434+32.84 грн
479+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 434 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN2106N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції VN2106N3-G за ціною від 23.26 грн до 65.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology vn2106.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.17 грн
25+26.77 грн
100+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY vn2106.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology vn2106.pdf MOSFETs 60V 4Ohm
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+36.69 грн
25+30.36 грн
100+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology vn2106.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.72 грн
25+32.84 грн
100+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology vn2106.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+37.88 грн
500+35.59 грн
1000+33.52 грн
3000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology vn2106.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G MICROCHIP 2595646.pdf Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.17 грн
25+26.77 грн
100+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 4Ohm
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.69 грн
25+30.36 грн
100+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.72 грн
25+32.84 грн
100+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+37.88 грн
500+35.59 грн
1000+33.52 грн
3000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G 2595646.pdf
VN2106N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.