Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN2106N3-G
VN2106N3-G

VN2106N3-G Microchip Technology

vn2106.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.25 грн
25+26.83 грн
100+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN2106N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції VN2106N3-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN2106N3-G VN2106N3-G MICROCHIP 2595646.pdf Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology vn2106.pdf MOSFETs 60V 4Ohm
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G 2595646.pdf
VN2106N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 4Ohm
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.