VN2106N3-G Microchip Technology
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 434+ | 28.35 грн |
| 479+ | 25.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2106N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції VN2106N3-G за ціною від 24.11 грн до 59.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 4Ohm |
на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VN2106N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VN2106N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |