Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN2110K1-G
VN2110K1-G

VN2110K1-G Microchip Technology

VN2110-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005793A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN2110K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції VN2110K1-G за ціною від 31.09 грн до 46.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN2110K1-G VN2110K1-G Microchip Technology vn2110b082013.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.85 грн
25+38.99 грн
100+36.02 грн
250+32.58 грн
500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110K1-G Microchip Technology vn2110b082013.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+42.85 грн
363+38.99 грн
379+37.36 грн
388+35.19 грн
500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110K1-G Microchip Technology VN2110-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005793A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 46909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
25+35.31 грн
100+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110K1-G Microchip Technology vn2110b082013.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.87 грн
6000+46.41 грн
9000+45.94 грн
12000+43.85 грн
15000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110K1-G Microchip Technology VN2110_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442181.pdf MOSFETs 100V 4Ohm
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110K1-G MICROCHIP 2607057.pdf Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110K1-G MICROCHIP 2607057.pdf Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G vn2110b082013.pdf
VN2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.85 грн
25+38.99 грн
100+36.02 грн
250+32.58 грн
500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G vn2110b082013.pdf
VN2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
331+42.85 грн
363+38.99 грн
379+37.36 грн
388+35.19 грн
500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005793A.pdf
VN2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 46909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.39 грн
25+35.31 грн
100+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G vn2110b082013.pdf
VN2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.87 грн
6000+46.41 грн
9000+45.94 грн
12000+43.85 грн
15000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G VN2110_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442181.pdf
VN2110K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 100V 4Ohm
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G 2607057.pdf
VN2110K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2110K1-G 2607057.pdf
VN2110K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.