VN2110K1-G MICROCHIP
Виробник: MICROCHIPDescription: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 30.47 грн |
| 3000+ | 27.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2110K1-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції VN2110K1-G за ціною від 27.75 грн до 51.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 4562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 7163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 100V 4Ohm |
на замовлення 12100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
VN2110K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.6A; 360mW; SOT23-3 Mounting: SMD Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.6A Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.6A; 360mW; SOT23-3 Mounting: SMD Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.6A Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |