VN2210N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 8A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO92
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 0.74W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.29 грн |
| 4+ | 122.87 грн |
| 10+ | 121.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2210N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN2210N3-G за ціною від 114.02 грн до 208.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 100V 0.35Ohm |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|