VN2210N3-G Microchip Technology
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 131.60 грн |
| 10+ | 130.46 грн |
| 25+ | 118.32 грн |
| 100+ | 108.97 грн |
| 1000+ | 100.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2210N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN2210N3-G за ціною від 121.30 грн до 196.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN2210N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 8A; 740mW; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 100V 0.35Ohm |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2210N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|