Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN2222LL-G-P013
VN2222LL-G-P013

VN2222LL-G-P013 Microchip Technology

VN2222LL%20B082013.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.16 грн
25+39.15 грн
100+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN2222LL-G-P013 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції VN2222LL-G-P013 за ціною від 31.84 грн до 53.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VN2222LL-G-P013 VN2222LL-G-P013 Виробник : Microchip Technology VN2222LL_B082013-3445661.pdf MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.53 грн
25+39.22 грн
100+32.00 грн
250+31.92 грн
4000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VN2222LL-G-P013 Виробник : Microchip Technology vn2222ll.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN2222LL-G-P013 VN2222LL-G-P013 Виробник : Microchip Technology vn2222ll.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN2222LL-G-P013 VN2222LL-G-P013 Виробник : Microchip Technology VN2222LL%20B082013.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN2222LL-G-P013 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY VN2222LL%20B082013.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.