Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > VN2410L-G
VN2410L-G

VN2410L-G Microchip Technology

VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.32 грн
25+63.23 грн
100+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN2410L-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.

Інші пропозиції VN2410L-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN2410L-G VN2410L-G MICROCHIP VN2410%20C081913.pdf Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410L-G Microchip Technology VN2410_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20006534A.pdf MOSFETs 240V 10Ohm
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410%20C081913.pdf
VN2410L-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20006534A.pdf
VN2410L-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 240V 10Ohm
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.