Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > VN2450N8-G Microchip
VN2450N8-G

VN2450N8-G Microchip

VN2450_2009.pdf
Код товару: 132674
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Microchip
Корпус: SOT-89
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 0,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції VN2450N8-G за ціною від 72.01 грн до 199.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VN2450N8-G VN2450N8-G Microchip Technology VN2450_2009.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450N8-G Microchip Technology VN2450_2009.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.91 грн
25+83.48 грн
100+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450N8-G Microchip Technology VN2450_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005992A.pdf MOSFETs 500V 13Ohm
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+111.49 грн
25+92.01 грн
2000+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY VN2450_2009.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 250mA; Idm: 0.75A; 1.6W
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2000pcs.
On-state resistance: 13Ω
Pulsed drain current: 0.75A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.86 грн
6+170.54 грн
16+161.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450_2009.pdf
VN2450N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450_2009.pdf
VN2450N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.91 грн
25+83.48 грн
100+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005992A.pdf
VN2450N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 13Ohm
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.49 грн
25+92.01 грн
2000+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N8-G VN2450_2009.pdf
VN2450N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 250mA; Idm: 0.75A; 1.6W
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2000pcs.
On-state resistance: 13Ω
Pulsed drain current: 0.75A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.86 грн
6+170.54 грн
16+161.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.