VN2460N8-G Microchip Technology
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 61.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2460N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN2460N8-G за ціною від 66.63 грн до 122.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN2460N8-g | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VN2460N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VN2460N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VN2460N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VN2460N8-g | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 6409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VN2460N8-g | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 600V 20Ohm |
на замовлення 3919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VN2460N8-g | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 200mA; Idm: 0.6A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |