VN3205N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 50V 1.5A TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 96.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN3205N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN3205N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.5 A, 0.3 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: VN3205 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції VN3205N8-G за ціною від 89.47 грн до 161.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VN3205N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN3205N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.5 A, 0.3 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: VN3205 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 50V 1.5A TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 4624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 50V 0.3Ohm |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN3205N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN3205N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.5 A, 0.3 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: VN3205 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
MOSFET 50V 0.3Ohm |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
VN3205N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |