VN4012L-G Microchip Technology


supertex_vn4012.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 400V 12Ohm
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.22 грн
25+113.27 грн
100+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VN4012L-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Supplier Device Package: TO-92-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 100mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bag.

Інші пропозиції VN4012L-G за ціною від 103.01 грн до 141.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
VN4012L-G VN4012L-G Microchip Technology VN4012-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005997A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
25+113.24 грн
100+103.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN4012L-G VN4012-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005997A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.81 грн
25+113.24 грн
100+103.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.