Продукція > STMICROELECTRONICS > VNB35N07TR-E
VNB35N07TR-E

VNB35N07TR-E STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VNB35N07TR-E STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції VNB35N07TR-E за ціною від 169.11 грн до 457.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMicroelectronics VNV35N07.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.83 грн
10+235.87 грн
100+169.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.63 грн
10+307.26 грн
100+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMicroelectronics VNV35N07.pdf Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNV35N07.pdf
VNB35N07TR-E
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+366.83 грн
10+235.87 грн
100+169.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VNB35N07TR-E
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+457.63 грн
10+307.26 грн
100+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNV35N07.pdf
VNB35N07TR-E
Виробник: STMicroelectronics
Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.