Продукція > STMICROELECTRONICS > VNB35N07TR-E
VNB35N07TR-E

VNB35N07TR-E STMicroelectronics

1734dm00067343.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+206.81 грн
5000+204.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VNB35N07TR-E STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції VNB35N07TR-E за ціною від 166.01 грн до 360.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMicroelectronics 1734dm00067343.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.02 грн
5000+204.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMicroelectronics vnb35n07-e.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 25A; Ch: 1; SMD; D2PAK
Case: D2PAK
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output voltage: 55V
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
Output current: 25A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.30 грн
5+203.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMicroelectronics VNV35N07.pdf Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+350.67 грн
10+260.72 грн
25+208.43 грн
100+187.95 грн
250+177.71 грн
500+176.98 грн
1000+166.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMicroelectronics VNV35N07.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Features: Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.98 грн
10+232.11 грн
100+166.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E 1734dm00067343.pdf
VNB35N07TR-E
Виробник: STMicroelectronics
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+207.02 грн
5000+204.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E vnb35n07-e.pdf
VNB35N07TR-E
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 25A; Ch: 1; SMD; D2PAK
Case: D2PAK
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output voltage: 55V
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
Output current: 25A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.30 грн
5+203.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNV35N07.pdf
VNB35N07TR-E
Виробник: STMicroelectronics
Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.67 грн
10+260.72 грн
25+208.43 грн
100+187.95 грн
250+177.71 грн
500+176.98 грн
1000+166.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E VNV35N07.pdf
VNB35N07TR-E
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Features: Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+360.98 грн
10+232.11 грн
100+166.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VNB35N07TR-E
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNB35N07TR-E SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VNB35N07TR-E
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.